تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Theoretical analysis of semiconductor surface passivation by adsorption of alkaline-earth metals and chalcogens
Theoretical analysis of semiconductor surface passivation by adsorption of alkaline-earth metals and chalcogens
 
الموضوع : physics 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : We begin with the concept of semiconductor surface passivation by adsorption of sub-monolayer atomic coverages. We then present a theoretical analysis of structural reconstruction and passivating behaviour of semiconductor surfaces upon sub-monolayer adsorption of alkaline-earth metals (group II atoms) and chalcogens (group VI atoms). Specific results are presented from first-principles calculations for Ca adsorption on Si(0 0 1) and Si(1 1 1), and S adsorption on GaAs(0 0 1). The role of chemical species of adsorbate and surface atoms in achieving different degrees of passivation is highlighted 
ردمد : 0169-4332 
اسم الدورية : APPLIED SURFACE SCIENCE 
المجلد : 258 
العدد : 21 
سنة النشر : 1433 هـ
2012 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Sunday, July 23, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
G.P SrivastavaSrivastava, G.P باحث رئيسيدكتوراهgps@excc.ex.ac.uk
A.Z AlZahrani,AlZahrani,, A. Z باحث مشاركدكتوراه 
D UsanmazUsanmaz, D باحث مشاركدكتوراه 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42201.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث