الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Theory of the lattice thermal conductivity in bulk and films of GaN
Theory of the lattice thermal conductivity in bulk and films of GaN
الموضوع
:
فيزياء
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
We report on a systematic theoretical investigation of the lattice thermal conductivity of several GaN samples (bulk and films) over a wide range of temperature, by applying Callaway's relaxation-time theory in its full form and Srivastava's scheme for anharmonic three-phonon scattering processes. The role of the usually neglected three-phonon normal-drift term has been quantified. We have attempted to quantify the role of phonon scattering by various defects and imperfections, present in the film samples, in controlling the temperature dependence of thermal conductivity. We find that except for the purest sample, the phonon-impurity scattering plays a significant role in controlling the thermal conductivity of GaN not only around the thermal-conductivity peak region but also over a very large range of temperature. It can also be predicted from our numerical study, and with available experimental results, that the highest possible thermal conductivity of bulk GaN can only be realized when point impurities such as oxygen and silicon are in small concentration (≃ 1016 cm-3 or less) and other defects are either absent (from experimental study) or present in very small concentration (our numerical study). The highest value of the room-temperature thermal conductivity is achieved for samples grown by the high-temperature and high-pressure growth technique.
ردمد
:
1098-0121
اسم الدورية
:
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
المجلد
:
81
العدد
:
19
سنة النشر
:
1431 هـ
2010 م
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Monday, November 14, 2011
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
عبدالله علي الشيخي
Alshaikhi, Abdullah Ali
باحث
دكتوراه
aalshaikhi@kau.edu.sa
Saswati Barman
Barman, Saswati
باحث
دكتوراه
G P Srivastava
Srivastava, G P
باحث
دكتوراه
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
31247.pdf
pdf
Abstract
الرجوع إلى صفحة الأبحاث